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      封裝

      反向重復峰值電壓VRRM (V)

      正向平均電流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A)

      浪涌電流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A)

      正向壓降VF@IFTj=25℃(V)

      正向壓降VF@IFTj=25℃(A)

      正向壓降VF@IFTj=125℃(V)

      正向壓降VF@IFTj=125℃(A)

      結-殼熱阻Rth(j-c)per chip(℃/W)

      型號 規格書 反向重復峰值電壓VRRM (V) 正向平均電流IF(AV) d=0.5Tc=125℃ (A) 浪涌電流IFSMt=8.3msTj=45℃ (A) 正向壓降VF@IFTj=125℃(V) 正向壓降VF@IFTj=125℃(A) 結-殼熱阻Rth(j-c)per chip(℃/W) 絕緣耐壓 Visol(V) 封裝

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